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纳米光－热伏电池

基本信息

申请号 CN01237286.2 申请日 -
公开（公告）号 CN2479646Y 公开（公告）日 2002-02-27
申请公布号 CN2479646Y 申请公布日 2002-02-27
分类号 H01L31/068;H01L35/00 分类 基本电气元件;
发明人 陈钟谋 申请（专利权）人 北京众谋成新技术开发有限责任公司
代理机构 江苏省专利事务所 代理人 何朝旭
地址 210016江苏省南京市中山东路524号55所
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种纳米光一热伏电池,包括导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层,以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极。此外,还含有离子注入层,所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间,形成两个PN结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层,使其厚度在1nm—100nm之间。本实用新型真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能,因此转换效率大大提高,性价比产生了飞跃,可以工业化生产。