纳米光－热伏电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN01113515.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1128477C | 公开（公告）日 | 2003-11-19 |
| 申请公布号 | CN1128477C | 申请公布日 | 2003-11-19 |
| 分类号 | H01L31/068;H01L31/18;H01L35/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈钟谋 | 申请（专利权）人 | 北京众谋成新技术开发有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 何朝旭 |
| 地址 | 210016江苏省南京市中山东路524号55所 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米光—热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高掺杂扩散层、电极、离子注入层。离子注入层夹在衬底与高掺杂扩散层之间，形成两个PN结。高掺杂扩散层覆盖离子注入层，使其厚度在1nm-100nm之间。同时本发明还给出了该电池的制备方法，包括氧化、光刻、扩散、离子注入、低压真空化学淀积、蒸铝等步骤。本发明真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能，因此转换效率大大提高，性价比产生了飞跃，可以工业化生产。 |
