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一种测量半导体热阻的方法

基本信息

申请号	CN201910251031.7	申请日	-
公开（公告）号	CN109975349B	公开（公告）日	2022-01-21
申请公布号	CN109975349B	申请公布日	2022-01-21
分类号	G01N25/20（2006.01）I;G01R31/28（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	郭宇程;邓海东;方永新;孙顺清;黄珂明;廖泽雄	申请（专利权）人	晶晨半导体（上海）股份有限公司
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	俞涤炯
地址	201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路518号207室
法律状态	-

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种测量半导体热阻的方法，其中包括，步骤S1、提供数据收集系统，数据收集系统包括记录仪，记录仪预先记录嵌入式系统的环境温度；步骤S2、关闭嵌入式系统的温度控制，使得嵌入式系统运行于预设工作频率下测试嵌入式系统的CPU的温度差；步骤S3、记录仪记录与嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应电源电压的电流，并将电源电压以及对应电源电压的电流与温度差记录至热阻参数表格；步骤S4、对照热阻参数表格以比较不同散热材质之间的热阻大小。有益效果：通过多点测量，测量精度高，节省人力，对整机功耗及各个分支功耗数据进行记录，计算方便，能够寻找到最好的散热材质，降低芯片制造成本。