高耐压MEMS封装载板及其制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111447442.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114206001A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114206001A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H05K1/16（2006.01）I;H05K3/42（2006.01）I;H05K3/46（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 马洪伟;刘浩 | 申请（专利权）人 | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙海燕 |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路318号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高耐压MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互串联的双层电容层，因此解决了使用超高电容密度材料造成成品PCB存在耐电压不足而导致击穿短路的风险，增强PCB的耐高压能力、极大增强了产品信耐性能力。 |
