超高电容MEMS封装载板及其制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111444168.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114195090A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114195090A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 马洪伟;刘浩 | 申请（专利权）人 | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙海燕 |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路318号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超高电容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高。 |
