高填孔比五层埋容MEMS封装载板及其制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111444159.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114132886A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114132886A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 马洪伟;陆敏晨 | 申请（专利权）人 | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙海燕 |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路318号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高填孔比五层埋容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路、第一次压合、第一次减铜、第一次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、第二次压合、第二次减铜、第二次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、外层线路和镭射烧槽，通过上述步骤制成的封装载板为不对称结构的五层板，从而实现了在不对称结构下仍具有超高的平整度的目的，解决了五层埋容MEMS封装载板翘曲难以控制的问题。 |
