薄膜生长腔室和薄膜生长设备
基本信息
| 申请号 | CN201610177630.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105803424A | 公开（公告）日 | 2016-07-27 |
| 申请公布号 | CN105803424A | 申请公布日 | 2016-07-27 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡国新;肖蕴章;冉军学;胡强;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻 | 申请（专利权）人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 510670 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4首层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长设备，该薄膜生长腔室为环形腔室；环形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的扇形托盘；环形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的扇形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的扇形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的环形腔室可以无限制地扩大，只要环形腔室扩大区域的顶面上设置有进气结构，就能提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长设备的产能。 |
