一种用于混晶化学气相外延的进气装置
基本信息
| 申请号 | CN201610339091.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105926035A | 公开（公告）日 | 2016-09-07 |
| 申请公布号 | CN105926035A | 申请公布日 | 2016-09-07 |
| 分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 蒋国文;冉军学;何斌;黎天韵;胡国新;王其忻;胡强 | 申请（专利权）人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 510670 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4首层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于混晶化学气相外延的进气装置，包括：设置在生长室上的混气装置，混气装置上划分有第一预设数量的混气区域；与混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，混气区域的出口与生长室导通；进气通道用于各种反应气体的输入；混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的反应气体的盛放。使用时，将各种反应气体通过进气通道输送到各自对应的混气区域，其中，同一混气区域盛放的为反应气体中预反应程度接近的气体，最后，所有反应气体进入生长室进行晶体生长。本发明将各种反应气体分开输送到各自对应的混气区域，在输入的过程中，可各自调节，且将预反应程度相差多的区分开，降低了预反应，提高了混晶的晶体质量。 |
