薄膜生长腔室和薄膜生长装置
基本信息
| 申请号 | CN201610179954.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105624648A | 公开（公告）日 | 2016-06-01 |
| 申请公布号 | CN105624648A | 申请公布日 | 2016-06-01 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡国新;肖蕴章;胡强;冉军学;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻 | 申请（专利权）人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 510670 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4首层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置，每一匀气装置位于至少一个托盘放置区的上方，匀气装置用于将进气孔通入的气体均匀喷放到下方的托盘放置区，以使托盘放置区放置的方形托盘承载的基片表面生成均匀的薄膜。本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。 |
