用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头
基本信息
| 申请号 | CN201110451659.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102492937A | 公开（公告）日 | 2012-06-13 |
| 申请公布号 | CN102492937A | 申请公布日 | 2012-06-13 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 冉军学;胡强;梁勇;胡国新;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人 | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头，包括：一混气室，该混气室为一桶状，在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头，固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁，该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间，该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道，该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。 |
