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一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺

基本信息

申请号	CN201710486047.7	申请日	-
公开（公告）号	CN107093652B	公开（公告）日	2020-02-21
申请公布号	CN107093652B	申请公布日	2020-02-21
分类号	H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216	分类	基本电气元件;
发明人	朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;陈珏荣	申请（专利权）人	浙江光隆能源科技股份有限公司
代理机构	嘉兴永航专利代理事务所（普通合伙）	代理人	蔡鼎
地址	314406 浙江省嘉兴市海宁市斜桥镇新建路8号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺。它解决了现有光伏组件的PID现象较为严重，造成电池片和组件功率出现大幅度下降等技术问题。本双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺，包括如下步骤：a、将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1‑2nm的SiO2氧化膜；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过装卸片系统装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积；c、将步骤b中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行沉积；d、将步骤c中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行再次沉积；e、通过装卸片系统对石墨舟的晶体硅片进行冷却，并将晶体硅片取下。本发明具有产品性能好的优点。