发光二极管结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110317555.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112992964A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112992964A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/44;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庄永漳 | 申请（专利权）人 | 镭昱光电科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管结构及其制造方法。所述发光二极管结构包括基板和形成在基板上的多个LED单元。每个LED单元包括：键合层，其形成在基板上；第一掺杂型半导体层，其形成在键合层上；第二掺杂型半导体层，其形成在第一掺杂型半导体层上；钝化层，其形成在第二掺杂型半导体层上和第一掺杂型半导体层的一部分上；以及，电极层，其形成在钝化层的一部分上并与第二掺杂型半导体层接触。所述多个LED单元包括第一LED单元和与第一LED单元相邻的第二LED单元。第一LED单元的第一掺杂型半导体层水平地延伸至与第一LED单元相邻的第二LED单元的第一掺杂型半导体层，并且第一LED单元和第二LED单元是可单独工作的LED单元。 |
