发光二极管结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110322711.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864290A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864290A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庄永漳 | 申请（专利权）人 | 镭昱光电科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种LED结构，包括基板、键合层、第一掺杂型半导体层、多重量子阱层(MQW层)、第二掺杂型半导体层、钝化层以及电极层。键合层形成在基板上，并且第一掺杂型半导体层形成在键合层上。MQW层形成在第一掺杂型半导体层上，第二掺杂型半导体层形成在MQW层上。第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且钝化层形成在第二掺杂型半导体层上。电极层形成在钝化层上，通过钝化层上的第一开口与第二掺杂型半导体层的一部分接触。 |
