一种超高压P沟道SiC-IGBT器件材料及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010439522.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111682063A 公开(公告)日 2020-09-18
申请公布号 CN111682063A 申请公布日 2020-09-18
分类号 H01L29/739(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨旭腾;韩景瑞;孙国胜;周泽成 申请(专利权)人 广东天域半导体股份有限公司
代理机构 广东莞信律师事务所 代理人 东莞市天域半导体科技有限公司
地址 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及P沟道SiC‑IGBT器件技术领域,具体涉及一种超高压P沟道SiC‑IGBT器件材料及其制造方法,超高压P沟道SiC‑IGBT器件材料,包括如下由下而上依次层叠的材料层:碳化硅衬底;N+缓冲层,厚度为0.8‑1.2μm,控制硅碳比为0.9‑1.01,掺杂气体N2的掺杂浓度为(1.5‑2.5)*1018cm‑3;P+缓冲层;P‑耐压层,厚度为250μm以上,碳硅比1.32‑1.50之间;P‑集电层。本发明通过提高P‑耐压层的厚度,设计厚度在250μm以上,使P沟道SiC‑IGBT器件材料可以耐受25kV的电压,远远高于现有一般P沟道IGBT器件材料15kV的耐压值。