一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置

基本信息

申请号 CN202021001501.9 申请日 -
公开(公告)号 CN212553303U 公开(公告)日 2021-02-19
申请公布号 CN212553303U 申请公布日 2021-02-19
分类号 B24B37/10(2012.01)I; 分类 磨削;抛光;
发明人 蓝宝;李清彬;韩景瑞;周泽成;杨旭腾;邱树杰;冯禹 申请(专利权)人 广东天域半导体股份有限公司
代理机构 广东莞信律师事务所 代理人 谢树宏
地址 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置,包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘,所述抛光盘上固定有一抛光垫,所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件,所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽,所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。本实用新型利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上,抛光晶片,使晶片翘曲面平坦化。