一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法
基本信息
| 申请号 | CN202010500927.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111745468A | 公开（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申请公布号 | CN111745468A | 申请公布日 | 2020-10-09 |
| 分类号 | B24B1/00(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 卓俊辉;谢绍棕;孔令沂;姚晓杰;李锡光;邹雄辉 | 申请（专利权）人 | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 | 代理人 | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，包括如下步骤：将SiC晶片装好在放置装置的无蜡吸附垫上；在抛光垫上涂抹粒径为0.2～1.0μm金刚石抛光膏；将所述放置装置放置于抛光设备上，将所述抛光设备的磨抛压力设置为25～255g/cm2、抛光盘转速为30～60rpm，抛光头转速为10～55rpm；往所述抛光盘中加入1～20ml/min的液体对所述SiC晶片执行抛光操作，且每间隔20～60分钟补涂所述金刚石抛光膏；对SiC晶片进行清洗及检测，抛光完毕。本发明可以快速抛光碳化硅晶片表面，该方法还能使生产出的碳化硅晶片拥有低损伤层和低表面粗糙度。 |
