一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法
基本信息
| 申请号 | CN202010452392.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111663115A | 公开（公告）日 | 2020-09-15 |
| 申请公布号 | CN111663115A | 申请公布日 | 2020-09-15 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 梁土钦;孔令沂;韩景瑞;杨旭腾;周泽成;李锡光;邹雄辉 | 申请（专利权）人 | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 | 代理人 | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及SiC化学气相沉积技术领域，具体涉及一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法，包括如下步骤：(1)机械摩擦；(2)除尘；(3)超声清洗；(4)高温纯化：将配件置于高温炉中并通入气体进行纯化，控制高温炉的气压为50‑300mbar，温度为1300‑1700℃，持续30‑240min，通入的气体中，H2流量为30‑50slm，HCl流量为100‑1000sccm。本发明首先通过机械摩擦、除尘和超声清洗的方式去除配件表面明显的沉积物，而后利用氯化氢气体以及高温条件对配件进行纯化，去除沉积物杂质，本发明清洗过程不损坏原有涂层，而清洗后的配件的表面也较为平整，满足配件继续使用的要求。 |
