一种渐变式PN结材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010501945.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111769034A | 公开（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申请公布号 | CN111769034A | 申请公布日 | 2020-10-13 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩景瑞;杨旭腾;孔令沂;周泽成;邱树杰;冯禹 | 申请（专利权）人 | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 | 代理人 | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种渐变式PN结材料的制备方法，包括如下步骤：设定LPCVD的生长条件外延缓变层；生长条件通过如下方法设置：(1)设定部分生长条件；(2)设定缓变层载流子浓度的最大值a和最小值b以及对应掺杂源的最大流速c和最小流速d；(3)根据缓变层的厚度和生长速率计算得到生长时间e；(4)在通入生长气体和载气气体后，通入最大流速c的掺杂源，然后控制掺杂源的质量逐渐减少，在生长时间e结束时，控制掺杂源的质量为最小流速d。通过外延法在外延层制备缓变结技术较为容易，制备的缓变结的载流子浓度随厚度变化的线性关系较好，形成的缓变结质量较为稳定，缓变结内晶体点缺陷少，缓变结质量稳定。 |
