一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110771412.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488375A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488375A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩景瑞;李浩然;孔令沂;杨旭腾;梁土钦;李锡光 | 申请（专利权）人 | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 | 代理人 | 李锦华 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法：在衬底上进行外延生长，所述衬底包括内部斜切形成的偏角部以及围绕偏角部的平台部，外延生长时，平台部的上方设置有遮挡件，所述遮挡件的底面与平台部的上表面的高度差为0.1‑0.3mm。本发明在生长外延时，使用遮挡件遮挡住衬底边缘的平台部，即衬底边缘无台阶结构的位置，由于未被遮挡的偏角部是具有斜切形成的台阶结构的，因此偏角部仍能以台阶流的生长模式进行生长，而被遮挡的平台部生长气体难以进入，沉积效率极为低下，几乎无法沉积，因此可以避免平台部通过二维生长模式而形成Crown状缺，从而保障了单一晶型的生长并且成功抑制了边缘缺陷的形成。 |
