一种高阻抗膜及其制备方法

基本信息

申请号 CN201911243381.5 申请日 -
公开(公告)号 CN110885967A 公开(公告)日 2020-03-17
申请公布号 CN110885967A 申请公布日 2020-03-17
分类号 C23C14/35;C23C14/08 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 夏伟;张兵;郑建军;张成金;姚仕军;方添志;赵帅 申请(专利权)人 天津美泰真空技术有限公司
代理机构 天津合正知识产权代理有限公司 代理人 天津美泰真空技术有限公司
地址 301609 天津市静海区大丰堆镇靳庄子村南200米
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种高阻抗膜的制备方法,该方法包括如下步骤:采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜,所用靶材为含铟复合材料,溅射室的压强抽到1.5‑3.5×10‑3Pa,工作气体为氩气,溅射压强为0.3‑1.0Pa。本发明所述的高阻抗膜具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果。