一种高阻抗膜及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201911243381.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110885967A | 公开(公告)日 | 2020-03-17 |
申请公布号 | CN110885967A | 申请公布日 | 2020-03-17 |
分类号 | C23C14/35;C23C14/08 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 夏伟;张兵;郑建军;张成金;姚仕军;方添志;赵帅 | 申请(专利权)人 | 天津美泰真空技术有限公司 |
代理机构 | 天津合正知识产权代理有限公司 | 代理人 | 天津美泰真空技术有限公司 |
地址 | 301609 天津市静海区大丰堆镇靳庄子村南200米 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种高阻抗膜的制备方法,该方法包括如下步骤:采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜,所用靶材为含铟复合材料,溅射室的压强抽到1.5‑3.5×10‑3Pa,工作气体为氩气,溅射压强为0.3‑1.0Pa。本发明所述的高阻抗膜具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果。 |
