一种TFT玻璃薄膜层沉积装置
基本信息
申请号 | CN202020792130.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN212451632U | 公开(公告)日 | 2021-02-02 |
申请公布号 | CN212451632U | 申请公布日 | 2021-02-02 |
分类号 | C23C16/46(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 程言军;蒋燕红;蒋来红 | 申请(专利权)人 | 安徽帝显电子有限公司 |
代理机构 | 北京和联顺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李照 |
地址 | 243000安徽省马鞍山市郑蒲港新区姥桥镇联合路广纳标准化厂房13#厂房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种TFT玻璃薄膜层沉积装置,包括沉积源、沉积源喷嘴、连接构件、图案化缝隙片、基底、U型管、滑轨、驱动机构和电动伸缩杆,所述沉积源和图案化缝隙片之间通过框形的连接构件相连接,所述沉积源与沉积源喷嘴相连接,所述沉积源喷嘴位于图案化缝隙片的下方,所述连接构件的两侧固定连接有滑轨,所述基底的上表面铺设有多根平行排列的U型管。通过流体控温系统向U型管中通入一定温度的流体,实现对基底的控温;能够扩大TFT玻璃薄膜的最终成型面积,适用大尺寸TFT玻璃薄膜的生产;且在移动过程中配合流体控温系统使用,对移出图案化缝隙片所在区域且初步成型的TFT玻璃薄膜,极速降温,便于薄膜脱离基底和成型。 |
