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一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法

基本信息

申请号 CN202110583269.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113471060A 公开（公告）日 2021-10-01
申请公布号 CN113471060A 申请公布日 2021-10-01
分类号 H01L21/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张建立;杨小霞;郑畅达;王小兰;高江东;李丹;江风益 申请（专利权）人 南昌硅基半导体科技有限公司
代理机构 江西省专利事务所 代理人 张文
地址 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。