一种AlGaInN发光二极管的接触结构
基本信息
| 申请号 | CN202111158607.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921677A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921677A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L33/40（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴小明;莫春兰;陈芳;王立;李新华;蒋恺 | 申请（专利权）人 | 南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 张文 |
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。 |
