一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置
基本信息
| 申请号 | CN202022488531.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214655232U | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN214655232U | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | C23C16/34（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/48（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 全知觉;诸荣烽;曹盛;吴先民;何丽华;汤绘华;佟金山 | 申请（专利权）人 | 南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 张文 |
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本实用新型提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本实用新型提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。 |
