一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210076426.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122218A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122218A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L33/40（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈芳;吴小明;莫春兰;郑畅达;蒋恺;王立 | 申请（专利权）人 | 南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌恒桥知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 许明亮 |
| 地址 | 330000江西省南昌市南昌高新技术产业开发区艾溪湖北路679号2栋工程技术研究中心附楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。 |
