一种高反射低欧姆接触电极的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110575377.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437194A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437194A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴小明;胡志敏;陈芳;莫春兰;王立 | 申请（专利权）人 | 南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 张文 |
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。 |
