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一种低应力TiW薄膜的制备方法

基本信息

申请号	CN202110555105.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113445005A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113445005A	申请公布日	2021-09-28
分类号	C23C14/16（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	吴小明;王子超;陈芳;王光绪;陶喜霞	申请（专利权）人	南昌硅基半导体科技有限公司
代理机构	江西省专利事务所	代理人	张文
地址	330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。