一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111097152.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921600A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921600A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L29/45（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 莫春兰;邢啸泉;吴小明;王立;李新华;陈芳;江风益 | 申请（专利权）人 | 南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 张文 |
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。 |
