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一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路

基本信息

申请号	CN201820229237.0	申请日	-
公开（公告）号	CN208127877U	公开（公告）日	2018-11-20
申请公布号	CN208127877U	申请公布日	2018-11-20
分类号	H02H9/04	分类	发电、变电或配电;
发明人	曹然	申请（专利权）人	苏州容芯微电子有限公司
代理机构	无锡中瑞知识产权代理有限公司	代理人	栗星星
地址	215612 江苏省苏州市张家港市凤凰大道凤凰科创园D栋3层
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地，所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。本实用新型效果采用增强型PHEMT管背靠背串联连接组成ESD保护电路，可以降低负载电容，使得本实用新型适用于高频率电路，采用串联若干个二极管提供ESD偏置电压，可以提高ESD电路的导通电压，使得本实用新型适用于高输入功率的场合，而且可在芯片内部实现，实现成本低。