边缘刻蚀设备
基本信息
| 申请号 | CN202120140290.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213958925U | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN213958925U | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请（专利权）人 | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 215024江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02栋703室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种边缘刻蚀设备，包括设备腔体、一个氢氟酸刻蚀槽、至少两个去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置；氢氟酸刻蚀槽、去离子水清洗槽、干燥栈及晶圆移动装置均位于设备腔体内，晶圆移动装置将在氢氟酸刻蚀槽内完成边缘刻蚀的晶圆移动到去离子水清洗槽中进行清洗，之后送到干燥栈进行干燥；氢氟酸刻蚀槽内设置有用于放置晶圆的第一载台及液体喷嘴，干燥栈内设置有用于放置晶圆的第二载台。本实用新型可以有效避免等待期间因晶圆表面残留的氢氟酸造成晶圆边缘的过度腐蚀，可以进一步提高晶圆表面清洁度，避免晶圆污染以及防止传送过程中液体滴落造成传送路径的污染，避免传片故障。 |
