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一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥

基本信息

申请号	CN201711204639.1	申请日	-
公开（公告）号	CN107963896A	公开（公告）日	2018-04-27
申请公布号	CN107963896A	申请公布日	2018-04-27
分类号	C04B35/66	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	守建川;易德福	申请（专利权）人	江西德义半导体科技有限公司
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	江西德义半导体科技有限公司
地址	344000 江西省抚州市金柅大道198号创业园A7栋3楼
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，以重量份计，该耐高温水泥包括如下原料组分：碳酸钙30‑80份，氧化铝5‑10份，氧化钠10‑20份，氧化钙5‑15份，氧化镁5‑10份，氧化铜5‑15份，氧化锆5‑10份，氧化钛5‑10份，氧化镍10‑20份，炭化硅10‑30份，硅粉10‑20份，二氧化硅10‑40份，氧化硼5‑10份，氧化钆5‑20份，钛酸钾晶须5‑10份，聚乙二醇20‑40份，有机硅偶联化合物10‑30份，环氧树脂5‑10份，水40‑90份。本发明的半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，具有强粘结性、耐高温以及耐腐蚀的特性，适用于半导体晶体高温生长炉修补，并且制备这种高温水泥的方法操作简便，成本低廉，绿色环保。