砷化镓衬底材料制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610579595.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106206841B | 公开（公告）日 | 2018-04-13 |
| 申请公布号 | CN106206841B | 申请公布日 | 2018-04-13 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/0392;C25C1/22;C30B11/00;C30B29/42 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易德福;守建川 | 申请（专利权）人 | 江西德义半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江西德义半导体科技有限公司 |
| 地址 | 344000 江西省抚州市金柅大道198号创业园A7栋3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓衬底材料制备方法。所述制备方法包括如下步骤：超高纯镓制备、超高纯砷制备、砷化镓多晶料的制备、砷化镓单晶棒制备、超薄砷化镓晶片制备、砷化镓衬底材料的制备，通过所述工艺制备的太阳能电池发电效率得到提升可达到38％，电池的稳定性更好，抗辐射能力强使之无光衰性，使用寿命对比于硅太阳能电池延长了十年以上，克服了现在市场里太阳能电池效率低(19％～逐年衰减)的缺陷。电池光电转换效率提高了19％，直接提高了电池发电总量，并且成本降低至市场均价的五分之一，使其技术可以适用于工业批量生产。 |
