一种14英寸砷化镓单晶炉
基本信息
| 申请号 | CN201720170547.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207452293U | 公开（公告）日 | 2018-06-05 |
| 申请公布号 | CN207452293U | 申请公布日 | 2018-06-05 |
| 分类号 | C30B11/00;C30B29/42 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 易德福;守建川 | 申请（专利权）人 | 江西德义半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 江西德义半导体科技有限公司 |
| 地址 | 344000 江西省抚州市金柅大道198号创业园A7栋3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种14英寸砷化镓单晶炉，包括14英寸炉膛、2英寸PBN组件、保温棉、炉芯、石英管、环形加热片、封盖；所述14英寸炉膛呈圆筒状，所述14英寸炉膛内沿其高度方向分为3‑10段温场，所述3‑10段温场的区域内设有多个温控点，所述石英管设置在14英寸炉膛内的底部，所述炉芯设置在石英管内。本实用新型设备精度高，其中分布在3‑10段温场的温控点有3‑10个，稳定控制温场，建立合适的温场梯度，进而有效掌握多个2英寸单晶棒同时生长的合适的温控规律，可一次性批量式生长得到1‑13根单晶，可以提高砷化镓晶棒的生产效率，且成形率较高，可达80％‑100％。 |
