生产碳化硅单晶用热辐射反射装置及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202010663166.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111979578B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN111979578B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/38（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 方帅;高超;高宇晗;宗艳民 | 申请（专利权）人 | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王振南 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种生产碳化硅单晶用热辐射反射装置及其制备方法与应用。所述装置能够形成热辐射反射镜面，所述热辐射反射镜面能够围绕于PVT法生产碳化硅单晶用长晶坩埚的外周，且能够将所述坩埚处散发出来的热量反射回所述坩埚处。本发明通过试验证明，在PVT法碳化硅长晶坩埚外周设所述装置可以降低长晶所用的功率，节约电能和长晶成本，同时可以降低碳化硅晶体出现晶体多型或微管等缺陷，提高良品率；另外，由于使用所述装置后热量主要反射回坩埚处，向外传导的热量很少，不需要对PVT法生产碳化硅单晶的装置外部进行降温，取代了长晶装置外的循环水或者进出风口的冷却方式，减小了长晶条件出现波动的几率。 |
