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一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置

基本信息

申请号 CN202121943711.4 申请日 -
公开（公告）号 CN215593249U 公开（公告）日 2022-01-21
申请公布号 CN215593249U 申请公布日 2022-01-21
分类号 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张九阳;李霞;王永方;杨晓俐;张红岩;高超;刘光旭;苏丽娜 申请（专利权）人 山东天岳先进科技股份有限公司
代理机构 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 冯妙娜
地址 250118山东省济南市槐荫区天岳南路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置，包括：配套的保温筒和保温盖，所述保温筒的内部具有空腔，所述保温筒的顶部具有连通所述空腔的开口，在装配状态下，所述保温筒的空腔内放置有坩埚；所述保温盖的底部开设有与所述保温筒同轴的圆形凹槽，所述圆形凹槽的直径小于所述碳化硅籽晶的直径，且大于等于所述碳化硅籽晶的直径的三分之二，所述圆形凹槽的槽深度为30‑50mm。本申请提供的保温装置，在进行碳化硅长晶的过程中能够在籽晶的上方构造出特定的温场，使得制得的碳化硅晶体边缘位置形成能够阻挡晶体边缘位错向内滑移、边缘小角度晶界向内延伸的环形形貌，提升碳化硅晶体中部区域的晶体质量。