一种晶体生长方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202110254960.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113061984B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN113061984B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张虎;张开端;史建伟;阴法波;张维刚;马振华 | 申请（专利权）人 | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张伟朴 |
| 地址 | 250118山东省济南市槐荫区天岳南路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体生长方法及装置，该方法包括：（1）准备阶段：将组装好的坩埚置于炉体内，炉体外套设有石英管，石英管包括石英管内层、夹层和石英管外层；夹层内设置有喷液板，喷液板上开设有多个第一喷液口；石英管内层开设有多个第二喷液口；（2）长晶阶段；（3）降温阶段：控制喷液板转动，使得第一喷液口和第二喷液口至少部分重合，冷却液经第一喷液口和第二喷液口喷射到炉体上。通过控制冷却液经第一喷液口和第二喷液口喷射到炉体上，使冷却液以小液滴形式作用到炉体上，有利于提高炉体降温的均匀性；且通过调节第一喷液口和第二喷液口重合部分，可实现炉体喷水量的定量调节和控制，可根据晶体生长不同阶段提供不同的温场。 |
