一种利用长晶组件制备碳化硅单晶的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011257241.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112481700B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN112481700B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 | 申请（专利权）人 | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘晓佳 |
| 地址 | 250118山东省济南市槐荫区天岳南路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于PVT法制备单晶的长晶组件，包括：坩埚和位于坩埚上方的加热装置；加热装置设有多个同心设置的环形加热温区，以使得在制备单晶的加热和/或长晶阶段，通过控制多个同心设置的环形加热温区的整体加热温度调节坩埚内的轴向温梯，通过控制多个同心设置的环形加热温区中各个环形加热温区的加热温度调节坩埚内的径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，能够控制坩埚内温场的轴向温梯和径向温梯，以提高晶体的生长速率，并保证晶体的生长环境稳定，维持较大的晶体边缘径梯，提高边缘质量，同时获得更大尺寸的碳化硅单晶。 |
