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一种碳化硅单晶及其PVT法生产方法和应用

基本信息

申请号	CN202010664355.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111926385B	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN111926385B	申请公布日	2022-03-01
分类号	C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	方帅;高超;高宇晗;宗艳民	申请（专利权）人	山东天岳先进科技股份有限公司
代理机构	北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王振南
地址	250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
法律状态	-

摘要

本申请公开了一种碳化硅单晶及其PVT法生产方法和应用，属于碳化硅单晶生产工艺领域。所述方法包括在碳化硅长晶用坩埚内进行PVT法生产碳化硅单晶的步骤，所述PVT法生产碳化硅单晶时，在所述坩埚外周设热辐射反射装置，所述热辐射反射装置的热辐射反射镜面将所述坩埚散发的热量反射至所述坩埚。试验证明，所述方法可以降低碳化硅长晶所用的加热功率，节约电能和长晶成本，同时还可以降低碳化硅晶体出现晶体多型或微管等缺陷，提高良品率；由于使用热辐射反射装置后热量主要反射回坩埚处，向外传导的热量很少，不需要对PVT法生产碳化硅单晶的装置外部进行降温，取代了长晶装置外的循环水或进出风口的冷却方式，提高了长晶环境的稳定性。