一种改进的碳化硅原料合成方法
基本信息
| 申请号 | CN202011511913.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112694090A | 公开（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申请公布号 | CN112694090A | 申请公布日 | 2021-04-23 |
| 分类号 | C01B32/984 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 葛明明;鲍慧强;赵然;赵子强;李龙远;王增泽 | 申请（专利权）人 | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种改进的碳化硅原料合成方法。本申请主要涉及生长单晶用SiC粉料合成工艺研发的技术领域，主要通过在合成碳化硅原料所用的碳粉和硅粉混合物中加入聚四氟乙烯，利用聚四氟乙烯的纯化作用，达到提高合成碳化硅原料纯度的目的；首先聚四氟乙烯加入混合，使得原料混合的更加均匀，极大地减少了碳粉的区域性聚集。在原料合成的加热反应过程，移动线圈位置，使碳粉和硅粉充分反应，并且避免局部一直处于过高温度而导致的该区域碳化严重，达到提高碳化硅原料产率的目的；在降温过程通入一定比例的氦气，利用氦气热导率高的特性，达到缩短降温时间的目的。在提高合成碳化硅原料质量的同时降低了生产成本。 |
