一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法
基本信息
| 申请号 | CN202011507849.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112746325A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112746325A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B35/00;F26B25/00;B02C17/18;B02C23/16;B08B3/08;B08B3/12 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵子强;葛明明;张岩;鲍慧强;李龙远;王增泽 | 申请（专利权）人 | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法。使用碳化硅晶体生长余料作为主要的原材料，因此可以有效的降低成本。过程中通过碳化硅余料的破碎筛分等处理，得到适用于原料合成的粉末余料，然后使用稀硫酸清洗减少杂质，通过将余料氧化计算其中的残留碳单质含量，并掺入一定比例的高纯硅粉，最后放入原料合成设备中加热反应，得到可以正常使用的高纯碳化硅原料。 |
