一种提高碳化硅籽晶粘接质量的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011507909.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112725892A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112725892A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B33/06;C30B23/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王增泽;鲍慧强;赵子强;赵然;李龙远;葛明明 | 申请（专利权）人 | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高碳化硅籽晶粘接质量的方法，SiC籽晶的粘接质量是影响晶体生长最基本也是最重要的影响因素之一，粘接的质量直接决定了晶体的质量，且很难通过其他的工艺参数的控制进行补救或提高。在籽晶上表面增加一个压铁，压铁施加一个竖直向下的作用力，有利于气体逸出。设计一个固定环保证籽晶不偏移。固定环材料为高纯石墨，减少其他材料的污染。固定环高度为20‑50mm，厚度为5‑10mm。为了减少温度梯度，提高籽晶粘接时的均匀性，在固定环外围包裹一圈高纯石墨毡，高度与固定环相同。石墨毡减少对石墨盖和籽晶的污染，同时增加了保温性，减少了石墨盖内外的温度梯度。 |
