用于生长大直径碳化硅晶体的装置
基本信息
| 申请号 | CN201921332016.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211420368U | 公开（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申请公布号 | CN211420368U | 申请公布日 | 2020-09-04 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘兵;张岩;赵子强;陈菲菲;赵然 | 申请（专利权）人 | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 国宏华业投资有限公司 |
| 地址 | 100089北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1205 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种用于生长大直径碳化硅晶体的装置，包括坩埚(1)，坩埚上设有坩埚盖(2)，坩埚与坩埚盖外部包裹保温层(3)；保温层上部设有第一测温孔(41)，所述保温层下部固定在托盘(5)上；保温层与托盘位于石英管(6)内；石英管(6)的两端分别设有第一法兰(7)和第二法兰(8)以形成封闭结构，第一法兰上设有第二测温孔(42)；石英管外部设有电磁感应线圈(9)；石英管与电磁感应线圈位于中空的冷却筒(10)内；冷却筒上部设有第三测温孔(43)，第三测温孔的上方设有测温装置(11)。采用本实用新型能够优化晶体生长过程中的温场分布，减少热应力，提高晶体成品率。 |
