一种碳化硅晶体电阻法退火用温控系统及方法

基本信息

申请号 CN201811419766.8 申请日 -
公开(公告)号 CN109554761B 公开(公告)日 2021-04-20
申请公布号 CN109554761B 申请公布日 2021-04-20
分类号 C30B33/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 申请(专利权)人 国宏中宇科技发展有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100089北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204
法律状态 -

摘要

摘要 一种碳化硅晶体电阻法退火用温控系统,包括生长炉炉体,生长炉炉体内部横向穿过有传热杆,出水口设置在生长炉炉体外侧,传热杆右端设置有进水口,进水口左侧安装有流量控制器,传热杆中部穿过底座并与底座内孔紧密接触,底座上方与坩埚托相连接,坩埚底部设置有籽晶槽,坩埚外围安置有测温热电偶,生长炉炉体与坩埚之间安装有保温罩,且生长炉炉体下方左侧安装有真空系统,生长炉炉体左侧上方和右侧下方分别安装有进气管和出气管。还包括控制PC,所述控制PC包括控制平台软件、控制模块和信号传输模块。