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一种减少碳化硅晶体包裹物的方法

基本信息

申请号 CN202011511628.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112746316A 公开（公告）日 2021-05-04
申请公布号 CN112746316A 申请公布日 2021-05-04
分类号 C30B23/00;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王增泽;鲍慧强;张岩;赵子强;李龙远;葛明明 申请（专利权）人 国宏中宇科技发展有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种减少碳化硅晶体包裹物的坩埚结构，包括凸形坩埚（1）、晶体生长原料（2）、籽晶托（3）；凸形坩埚（1）剖视形如“凸”字形，具有圆柱状的底部（11）和圆柱状的上部（12），原片形顶盖（13），晶体生长原料（2）基本充满底部（11）；籽晶托（3）的涂覆涂层（31）；涂层材料是钛、钽、钨或其碳化物。还公开一种减少碳化硅晶体中碳包裹物的方法，针对该坩埚结构以实施，包括坯料选用、成型步骤、烧成阶段三个步骤。以及一种碳化硅晶体生长方法，其利用该坩埚结构以实施，包括涂覆和预烧、填装碳化硅生长原料步骤、实际生长步骤。