一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310298683.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104294359A | 公开（公告）日 | 2015-01-21 |
| 申请公布号 | CN104294359A | 申请公布日 | 2015-01-21 |
| 分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I;B21C1/00(2006.01)I;C25D5/34(2006.01)I;C25D3/48(2006.01)I;C25D7/06(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B5/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李雷;常富鼎;赵拥军;宋茂斌;江波;王付装;石磊 | 申请（专利权）人 | 河南九发高导铜材股份有限公司 |
| 代理机构 | 郑州中原专利事务所有限公司 | 代理人 | 河南九发高导铜材股份有限公司;河南九发新材新能有限公司 |
| 地址 | 461200 河南省许昌市鄢陵县柏梁镇311国道168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶铜镀金复合键合丝的制备方法，该方法包括以下步骤：①单晶铜线的制备：将铜锭经熔化后进行定向凝固，然后对单晶铜杆进行拉拔，得到铜线；②单晶铜线表面镀金预处理；③对单晶铜线表面进行镀金；④对镀金后的单晶铜复合键合线进行拉拔。一种该方法所得的单晶铜镀金复合键合丝，所述单晶铜镀金复合键合丝包括：单晶铜基体和单晶铜基体外的镀金层，所得的单晶铜镀金复合键合丝的直径为8～25μm，电阻率小于1.72×10-8Ωm，延伸率大于2%。本发明有以下优点：①解决了普通铜丝延伸率低的问题，能够制备低弧度超细单晶铜丝；②确保了键合丝的抗氧化性和耐腐蚀性；③设备投资低；④成本远低于金键合丝，能够大面积推广应用。 |
