一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202111358123.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114242901A | 公开（公告）日 | 2022-03-25 |
| 申请公布号 | CN114242901A | 申请公布日 | 2022-03-25 |
| 分类号 | H01L51/48（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易陈谊;李航;王思洋;谭理国;周俊杰;蒋超凡;李明昊;刘越;叶一然 | 申请（专利权）人 | 深圳无限光能技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 单冠飞 |
| 地址 | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙四路2号安博科技宝龙厂区2号厂房301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用，包括以下步骤：将M粉末和碘化铅粉末分别放入加热舟中，将衬底和加热舟放到真空镀膜机中并抽真空，加热舟放置在衬底下方，电加热加热舟使M粉末和碘化铅粉末挥发以得到铅源薄膜；将衬底转移至另一腔体，在铅源薄膜上沉积一层胺盐；退火得到钙钛矿薄膜。本发明采用真空蒸镀不同的铅源获得高平整度、高均匀性的的铅源薄膜；采用两步法制备钙钛矿薄膜，有效解决了传统的两步溶液旋涂法难以制备大面积钙钛矿薄膜的难题，在制备过程中不使用有机溶剂，避免了有机溶剂对钙钛矿薄膜下面的功能层产生破坏作用以及对环境的不利影响，得到的钙钛矿薄膜可以应用到光电器件的制备。 |
