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基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用

基本信息

申请号 CN202110768194.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113488594A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113488594A 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L51/44（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 易陈谊;蒋超凡;周俊杰;谭理国;李明昊;李航;刘越 申请（专利权）人 深圳无限光能技术有限公司
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 王春霞
地址 100084北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用。所述复合薄膜电极包括依次复合的透明导电氧化物层和低成本金属层，透明导电氧化物层的材质为氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺钨氧化铟、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌和氧化锌锡中任一种及其组合，低成本金属层的材质为铜、铝、镍、锌、锡、铁和银中任一种及其合金和组合。本发明提供了基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极，并将其成功应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的钙钛矿光电器件中，在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率基础上，大幅提高了钙钛矿光电器件的综合稳定性。