基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法
基本信息
| 申请号 | CN202111161357.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113991026A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113991026A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L51/48（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/52（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易陈谊;李明昊;周俊杰;谭理国;蒋超凡;李航;刘越 | 申请（专利权）人 | 深圳无限光能技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗岚 |
| 地址 | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙四路2号安博科技宝龙厂区2号厂房301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提出一种基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法，通过在钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间引入基于卤代苯乙胺分子的界面修饰层之后，由于界面缺陷被有效的钝化，缺陷态诱导的非辐射复合被削弱，辐射复合增强，因此钙钛矿太阳能电池器件的开路电压和光电转换效率显著提升，同时器件稳定性也有显著的提升。 |
