一种钙钛矿光电器件的封装的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111350060.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114242897A | 公开（公告）日 | 2022-03-25 |
| 申请公布号 | CN114242897A | 申请公布日 | 2022-03-25 |
| 分类号 | H01L51/44（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易陈谊;蒋超凡;刘越;李航;周俊杰;李明昊;谭理国 | 申请（专利权）人 | 深圳无限光能技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙诗惠 |
| 地址 | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙四路2号安博科技宝龙厂区2号厂房301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种钙钛矿光电器件的封装方法，包括：采用磁控溅射方法将封装材料溅射在所述钙钛矿光电器件的导电电极层上，形成封装层。其中，所述封装材料为包括但不限于氧化铝、氧化硅或聚四氟乙烯；所述封装层的厚度为1‑1000nm。本发明的封装方法，能够应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的金属卤化物钙钛矿光电器件中，在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率的基础上，对钙钛矿器件进行封装，隔绝了钙钛矿器件与氧气和水的接触，保持了封装结构的气密性和稳定性，大幅提高了钙钛矿光电器件的使用寿命和稳定性。 |
