一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210359610.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686989A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686989A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B33/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王冰;潘连胜;商剑;何翠翠;秦朗;齐锦刚;赵作福;刘亮 | 申请（专利权）人 | 辽宁工业大学 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 121001辽宁省锦州市太和区解放西路94号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法，包括：步骤一、将单晶硅片进行清洗；步骤二、对所述单晶硅片进行表面去损伤；步骤三、将所述单晶硅片放入质量分数为3.5％的NaOH溶液和体积分数为5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，冲洗；步骤四、将所述单晶硅片放入质量分数为40％的H2O2、质量分数为35％的HF溶液和1.4g Cu（NO3）2的混合溶液中，45℃水浴60min后，清洗；步骤五、将所述单晶硅片放入质量分数为5％的NH4OH和质量分数为5％的H2O2的混合溶液中，25℃水浴2min，清洗后获得表面带有微纳米复合结构的单晶硅片。本发明具有降低单晶硅片表面反射率的特点。 |
